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Speicher-ICs
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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W25Q128FVSJP |
IC-Flash-Speicher 128 MB
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Winbond Elektronik
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MT46H32M32LFB5-5 IT: B |
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
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Mikrontechnologie
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MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C |
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q16FWSNIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
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Winbond Elektronik
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24AA16-I/MS |
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8MSOP
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Mikrochiptechnik
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W958D6DBCX7I TR |
IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
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Winbond Elektronik
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
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Adesto-Technologien
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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MT4E2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q32FVZEIG TR |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
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Winbond Elektronik
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MT41K512M4HX-15E:D |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q256FVCIF TR |
IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
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Winbond Elektronik
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MT29F256G08CECCBH6-6C: C |
IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
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Mikrontechnologie
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D9PRS |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IC FLASH 32G MMC 153WFBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
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ROHM Halbleiter
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USE Gefahrenabweichung |
LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
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Mikrontechnologie
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MT29F16G08CBECBL72A3WC1P |
IC FLASH 16G Parallelwafer
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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Mikrontechnologie
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BR25L010FVM-WTR |
IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8MSOP
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ROHM Halbleiter
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MT41K2G8KJR-125: |
IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. |
IC FLASH 32M SPI 70MHZ 16SOIC
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Adesto-Technologien
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MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y |
MLC EMMC/LPDDR3 280G
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Mikrontechnologie
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MTFC8GACAENS-5M AAT TR |
IC FLASH 64G MMC
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Mikrontechnologie
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W25Q128FVPJQ |
IC-Flash-Speicher 128 MB
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Winbond Elektronik
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MT2F1G08ABCHC:C |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC FLASH 3T PARALLEL 333 MHz
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Mikrontechnologie
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MT29F4G08ABBDAHC-AIT: |
IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
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Mikrontechnologie
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in der Angabe des Zulassungsdatums anzugeben. |
IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
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Adesto-Technologien
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GEWICHT MT42L256M16D1GU-18: EIN TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
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Mikrontechnologie
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Die Kommission kann die Kommission auffordern, die in den Artikeln 1 und 2 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
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Mikrontechnologie
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BR93G46-3A |
MICROWIRE BUS 1KBIT ((64X16BIT) EE
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ROHM Halbleiter
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MT4B2B5-6A AIT:L |
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
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Mikrontechnologie
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W25Q64FVSCB1 |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ
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Winbond Elektronik
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
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Mikrontechnologie
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N25Q128A11ESE40F TR |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
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Mikrontechnologie
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MT2F4G4G4G4G4G4G4G4G4G4G4G4G5 |
IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ
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Mikrontechnologie
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M95256-RMN6P |
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
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STMikroelektronik
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
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Mikrontechnologie
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W9812G2KB-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
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Winbond Elektronik
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MT48LC8M8A2TG-75 |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Mikrontechnologie
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MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR |
IC DRAM 2G PARALLEL 533 MHz
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Mikrontechnologie
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BR24T02FVJ-WGE2 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
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ROHM Halbleiter
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MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
IC FLASH 4G PARALLEL WAFER
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Mikrontechnologie
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MT4B4B4B4B4B4B5 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1,33 GHz
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Mikrontechnologie
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MT41K128M8JP-125: G |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
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Mikrontechnologie
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USE Gewichtung der Brennstoffe |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
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Mikrontechnologie
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