IXYS
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Einleitung
IXYS
Die Produktion von Leistungshalbleitern der IXYS Corporation besteht aus Power MOS (Metall-Oxid-Silizium) -Transistoren und Leistungsbipolar.Diese Produktserien umwandeln Hochspannung oder Strom in reguläre LeistungDie Produktion von integrierten Schaltungen des Unternehmens wird für analoge, gemischte Signal- und digitale Schnittstellenlösungen in der Kommunikation verwendet, wie Solid-State Relais (SSRs), Line Card Access Switches (LCAS),LitelinkTM. Die RF Power Halbleiter wandeln hohe Raten an Strom für die Verstärkung oder den Empfang um. Darüber hinaus stellt IXYS Laserdioden-Treiber, direkte Kupferbindung (DCB) zur Verfügung.
Neueste Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | manufacturer | Lagerbestand | RFQ | |
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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht. |
IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
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IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
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MIEB101H1200EH |
IGBT-Module 1200V 183A 630W E3
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt |
IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2
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MDI145-12A3 |
IGBT-Modul 1200V 160A 700W Y4M5
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MCC72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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MCD44-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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MCD250-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 800 V
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MCC26-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1400 V
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MDD44-14N1B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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VKM40-06P1 |
Diskrete Halbleitermodule 40 Ampere 600 V
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MCD72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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MCD310-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1600 V
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ZY250 |
Diskrete Halbleitermodule mit Schlüsseldoppel
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diskrete Halbleitermodule 30 Ampere 1200 V
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MDD26-18N1B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1800 V
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MCC72-12io1B |
Diskrete Halbleitermodule STANDARD SCR 1200V, 72A
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MWI200-06A8 |
Diskrete Halbleitermodule NPT IGBT 600V, 200A
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MCC72-12io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1200 V
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MCC250-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 1200 V
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IXGH17N100AU1 |
IGBT-Transistoren 17 Ampere 1000 V
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren GenX3 1200V IGBTs
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IXGH40N120B2D1 |
IGBT-Transistoren IGBT, Diode 1200V, 75A
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IXGH15N120CD1 |
IGBT-Transistoren 30 Ampere 1200V 3,8 Rds
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IGBT-Transistoren 75 Ampere 1200V 3,3 Rds
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht. |
IGBT-Transistoren 75 Ampere 1200 V
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IXGH48N60A3D1 |
IGBT-Transistoren G-Serie A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 15khz-40khz Leistungseinrichtung
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IXGA15N120B |
IGBT-Transistoren 30 Ampere 1200V 3,2 Rds
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