HGTG20N60A4D
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 600 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
+/- 250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
70 A
PD - Verlustleistung::
290 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
1,8 V
Hersteller::
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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