Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
80 A
PD - Verlustleistung::
268 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
650 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::
30 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
1,45 V
Hersteller::
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGH40T65SHDF_F155, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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