FGL60N100BNTDTU
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren mit hoher Leistung
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
+/- 500 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
60 A
PD - Verlustleistung::
180 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1000 V
Packung / Koffer::
TO-264-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 25 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
1,5 V
Hersteller::
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Die FGL60N100BNTDTU, von Fairchild Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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