FGA30T65SHD
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 400
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
60 A
PD - Verlustleistung::
238 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
650 V
Packung / Koffer::
TO-3PN
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Verpackung::
Schlauch
Höchstspannung des Toremittels::
30 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2.14 V
Hersteller::
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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