BFU530VL
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
Wird die Angabe des Zustands nicht erfolgt, so wird die Angabe der Angabe nicht erfolgen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
40 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
11 GHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
12 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-143B
Mfr:
NXP USA Inc.
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
1.1 dB @ 1,8 GHz
Leistung - Max.:
450mW
Gewinn:
15.5dB
Packung / Gehäuse:
TO-253-4, TO-253AA
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 10mA, 8V
Basisproduktnummer:
BFU530
Einleitung
HF-Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Oberflächenaufbau SOT-143B
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
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RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
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