BFG35.115
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
Wird die Angabe des Zustands nicht erfolgt, so wird die Angabe der Angabe nicht erfolgen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
150 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
4GHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
18V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-73
Mfr:
NXP USA Inc.
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
-
Leistung - Max.:
1W
Gewinn:
-
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
25 @ 100mA, 10V
Basisproduktnummer:
BFG35
Einleitung
HF-Transistor NPN 18V 150mA 4GHz 1W Oberflächenhalter SC-73
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
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