BFG505/X,215
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
Wird die Angabe des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes ermittelt, so wird
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
18mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
9GHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-143B
Mfr:
NXP USA Inc.
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
1.2 dB ~ 1.9 dB @ 900 MHz ~ 2 GHz
Leistung - Max.:
150 mW
Gewinn:
-
Packung / Gehäuse:
TO-253-4, TO-253AA
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 6V
Basisproduktnummer:
BFG50
Einleitung
HF-Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Oberflächenaufbau SOT-143B
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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