BFU520AVL
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
HF TRANS NPN 12V 10GHz bis 236AB
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
30 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
10 GHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
12 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23 (TO-236AB)
Mfr:
NXP USA Inc.
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
1 dB @ 1,8 GHz
Leistung - Max.:
450mW
Gewinn:
12.5 dB
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 8V
Basisproduktnummer:
BFU520
Einleitung
HF-Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Oberflächenaufbau SOT-23 (TO-236AB)
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RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht. |
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
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