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Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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ZXTD720MCTA |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Dioden eingebunden
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PBSS4140DPN115 |
Übertragung von NPN/PNP 40V 1A 6TSOP
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Nexperia USA Inc.
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MBT3904DW1T1G |
Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistungsfähigkeit des Geräts zu messen.
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Ein- und zweimal
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Die Befehle für die Beförderung sind in Anhang I zu entnehmen. |
Transformatoren für die Verwendung von NPN/PNP
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Ein- und zweimal
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 zu finden. |
Bei der Anlage ist die Anlage zu verwenden.
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungskosten. |
Doppelzwecktransistoren
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Panjit International Inc.
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SBC847BDW1T1G |
Trans 2NPN 45V 0,1A SOT363
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Ein- und zweimal
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HN1A01FU-Y,LXHF |
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO: 50
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Toshiba Halbleiter und Speicher
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DMC904010R |
Trans 2NPN 50V 0,1A SSMINI6
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Elektronische Komponenten von Panasonic
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Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Ein- und zweimal
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BC846BS-TP |
Schnittstelle
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Mikrohandelsco
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Bei der Prüfung der NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
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Ein- und zweimal
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ZDT1048TC |
Trans 2NPN 17,5V 5A SM8
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Dioden eingebunden
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MCH6534-TL-E |
Trans 2NPN 15V 0,7A 6MCPH
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Ein- und zweimal
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Übertragung von NPN/PNP 45V 100MA SOT363
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Dioden eingebunden
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STA473A |
Trans 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP
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Sanken Electric USA Inc.
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Die Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben. |
Allgemeiner Zweck TRANSISTOR SOT36
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Dioden eingebunden
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Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgenommen. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Infineon Technologies
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PBSS5260PAP,115 |
Trans 2PNP 60V 2A 6HUSON
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Nexperia USA Inc.
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XN0450200L |
Bei der Ausführung der Prüfungen werden die folgenden Anforderungen erfüllt:
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Elektronische Komponenten von Panasonic
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STA413A |
Trans 4NPN 35V 3A 10-SIP
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Sanken Electric USA Inc.
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BCM847BV,115 |
Trans 2NPN 45V 0,1A SOT666
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Nexperia USA Inc.
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DME501010R |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 50V 0,1A SMINI5
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Elektronische Komponenten von Panasonic
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XN0555300L |
Trans 2NPN 100V 0,02A MINI6
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Elektronische Komponenten von Panasonic
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2N2222A |
NPN SIL TRANS TO18
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Solid-state Inc.
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JANTXV2N6989U/TR |
Transistoren mit vier kleinen Signalen BJT
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Mikrochiptechnik
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Dioden eingebunden
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JAN2N4854U/TR |
Transistoren mit Doppelsignal für kleine Signale
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Mikrochiptechnik
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PBSS2515YPN/ZLX |
Trans BISS SC-88
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Nexperia USA Inc.
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Die Daten sind nicht verfügbar. |
Transistoren - Bipolar (BJT) - Si
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Yangjie Technologie
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ZXTDA1M832TA |
Transformatoren mit einem NPN/PNP 15V/12V 8MLP
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Dioden eingebunden
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PMP4501G,135 |
Trans 2NPN 45V 0.1A 5TSSOP
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Nexperia USA Inc.
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DMMT5401-TP |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
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Mikrohandelsco
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans 2NPN 45V 0,5A SC-74
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Nexperia USA Inc.
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MD7003B |
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
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Zentral Semiconductor Corp.
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BC846BPN,115 |
Transformator NPN/PNP 65V 0,1A 6TSSOP
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Nexperia USA Inc.
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Siehe auch MMDT4146-7 |
Bei der Übertragung von NPN/PNP 25V 0.2A SOT363
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Dioden eingebunden
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DMMT3906W-7 |
Trans 2PNP 40V 0,2A SOT363
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Dioden eingebunden
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BC856BDW1T3 |
Trans PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
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Ein- und zweimal
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SMA5106 |
Trans 4NPN DARL 120V 5A
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Sanken Electric USA Inc.
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PUMZ2 und PUMZ2.125 |
Transformator NPN/PNP 50V 0,15A 6TSSOP
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Nexperia USA Inc.
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DXTN3C100PDQ-13 |
SS Low Sat Transistor PowerDI506
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Dioden eingebunden
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ULN2803APG,CN |
Trans 8NPN DARL 50V 0,5A 18DIP
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Toshiba Halbleiter und Speicher
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CPH5520-TL-E |
Übertragung von NPN/PNP 80V/50V 2A 5CPH
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Ein- und zweimal
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MC1413DR2 |
Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SO
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Ein- und zweimal
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BFP 720FESD E6327 |
Funktransmitter NPN 4,7V 45 GHz 4TSFP
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Infineon Technologies
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JAN2N4957 |
Wird die Leistung von 30 V 30 MA bis 72 V erhöht?
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Die Mikrosemi Corporation
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BFS520,135 |
Wird die Angabe des Zustands nicht erfolgt, so wird die Angabe der Angabe der Angabe nicht erfolgen.
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NXP USA Inc.
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CMUT5179 TR PBFREE |
Wird der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschl
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Zentral Semiconductor Corp.
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BLT80.115 |
Wird die Angabe des Zustands nicht erfolgt, so wird die Angabe der Angabe der Angabe nicht erfolgen.
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NXP USA Inc.
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