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Getrennte Halbleiter

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
BC817-16LT1G

BC817-16LT1G

Bipolare Transistoren - BJT 500mA 50V NPN
Ein- und zweimal
ZXTN25020DGTA

ZXTN25020DGTA

Bipolare Transistoren - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Dioden eingebunden
DPLS160V-7

DPLS160V-7

Bipolare Transistoren - BJT PNP.3W
Dioden eingebunden
MJE15034G

MJE15034G

Bipolare Transistoren - BJT 4A 350V 50W NPN
Ein- und zweimal
2DC4617S-7-F

2DC4617S-7-F

Bipolare Transistoren - BJT NPN BIPOLAR
Dioden eingebunden
Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 übermittelt.

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 übermittelt.

Bipolare Transistoren - BJT 100mA 30V NPN
Ein- und zweimal
FCX690BTA

FCX690BTA

Bipolare Transistoren - BJT NPN hoher Gewinn
Dioden eingebunden
Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie zu erfüllen.

Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie zu erfüllen.

Bipolare Transistoren - BJT doppelt abgestimmt PNP XSTR 45V
Ein- und zweimal
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

Ein- und zweimal
BCP54,115

BCP54,115

Bipolare Transistoren - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
Nexperia
Die Daten werden von den zuständigen Behörden des Mitgliedstaats übermittelt.

Die Daten werden von den zuständigen Behörden des Mitgliedstaats übermittelt.

Bipolare Transistoren - BJT 1A 50V NPN
Ein- und zweimal
2SD1766T100R

2SD1766T100R

ROHM Halbleiter
2DD1664P-13

2DD1664P-13

Bipolare Transistoren - BJT 1000W 32Vceo
Dioden eingebunden
2SC3837KT146P

2SC3837KT146P

Bipolare Transistoren - BJT NPN 20V 50MA
ROHM Halbleiter
PBHV8540Z,115

PBHV8540Z,115

Bipolare Transistoren - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
Nexperia
MJD42CG

MJD42CG

Bipolare Transistoren - BJT 6A 100V 20W PNP
Ein- und zweimal
Die Angabe des Zustands des Zustandes ist nicht erforderlich.

Die Angabe des Zustands des Zustandes ist nicht erforderlich.

Bipolare Transistoren - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Ein- und zweimal
2SD2098T100S

2SD2098T100S

ROHM Halbleiter
PBHV9040T,215

PBHV9040T,215

Bipolare Transistoren - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
Nexperia
2SA1774G

2SA1774G

Ein- und zweimal
PBSS4032SP,115

PBSS4032SP,115

Bipolare Transistoren - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0,73W 115MHz
Nexperia
MCH5541-TL-E

MCH5541-TL-E

Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP+NPN 0,7A 30V
Ein- und zweimal
BDP950H6327XTSA1

BDP950H6327XTSA1

Bipolare Transistoren - BJT AF Transistoren
Infineon Technologies
2SD2696T2L

2SD2696T2L

ROHM Halbleiter
DXT5551-13

DXT5551-13

Bipolare Transistoren - BJT 1W 160V
Dioden eingebunden
ZXT13P20DE6TA

ZXT13P20DE6TA

Bipolare Transistoren - BJT 20V PNP SuperSOT4
Dioden eingebunden
BCP56-16.135

BCP56-16.135

Bipolare Transistoren - BJT TRANS MED PWR TAPE13
Nexperia
2SC4027T-H

2SC4027T-H

Bipolare Transistoren - BJT BIP NPN 1.5A 160V
Ein- und zweimal
DNLS320E-13

DNLS320E-13

Dioden eingebunden
MJD340RLG

MJD340RLG

Bipolare Transistoren - BJT 0,5A 300V 15W NPN
Ein- und zweimal
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Ein- und zweimal
ZTX788ASTZ

ZTX788ASTZ

Bipolare Transistoren - BJT PNP Super E-Line
Dioden eingebunden
BST51,135

BST51,135

Nexperia
PBSS4540X,135

PBSS4540X,135

Nexperia
PBSS8510PA,115

PBSS8510PA,115

Bipolare Transistoren - BJT 100V 5.2A NPN Low VCESAT Transistoren
Nexperia
BC847BE6327XT

BC847BE6327XT

Bipolare Transistoren - BJT NPN 45 V 100 mA
Infineon Technologies
2SC5659T2LN

2SC5659T2LN

Bipolare Transistoren - BJT NPN 25V 50MA
ROHM Halbleiter
PMP5201Y,115

PMP5201Y,115

Bipolare Transistoren - BJT-Zusammengestelltes Paar
Nexperia
2SC5242-R ((Q)

2SC5242-R ((Q)

Toshiba
ZTX1147A

ZTX1147A

Bipolare Transistoren - BJT PNP Hochgewinn & Crnt
Dioden eingebunden
BCX41TA

BCX41TA

Dioden eingebunden
2SB1590KT146Q

2SB1590KT146Q

ROHM Halbleiter
Die Ausnahme von NSV20101

Die Ausnahme von NSV20101

Bipolare Transistoren - BJT 20V NPN niedrig VCE ((SAT)
Ein- und zweimal
Die Bezeichnung "S" ist die Bezeichnung der Bezeichnung, die für die Bezeichnung verwendet wird.

Die Bezeichnung "S" ist die Bezeichnung der Bezeichnung, die für die Bezeichnung verwendet wird.

Bipolare Transistoren - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
Ein- und zweimal
NSV40300MZ4T1G

NSV40300MZ4T1G

Ein- und zweimal
Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.

Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.

Bipolare Transistoren - BJT NPN BIPOLAR
Dioden eingebunden
2SC4116-GR, WENN

2SC4116-GR, WENN

Toshiba
FML10T148

FML10T148

Bipolare Transistoren - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 5PIN
ROHM Halbleiter
Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.

Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.

Bipolare Transistoren - BJT SS HV XSTR SPCL TR
Ein- und zweimal
PBSS8110D,115

PBSS8110D,115

Nexperia
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