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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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DD89N12K-K |
Diskrete Halbleitermodule Richterdiodenmodul 1200V 89A
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Infineon Technologies
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MCC72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCD44-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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IXYS
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MCD250-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 800 V
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IXYS
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MCC26-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1400 V
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IXYS
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DD89N16K-A |
Diskrete Halbleitermodule Richterdiodenmodul 1600V 89A
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Infineon Technologies
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DD170N16S |
Diskrete Halbleitermodule 34 mm Lötverbindungsrichtigungsdiode
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Infineon Technologies
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MDD44-14N1B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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IXYS
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TZ630N24KOF |
Diskrete Halbleitermodule 2800V 1500A Einzel
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Infineon Technologies
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VKM40-06P1 |
Diskrete Halbleitermodule 40 Ampere 600 V
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IXYS
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TD104N14KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 160A
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Infineon Technologies
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MCD72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCD310-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1600 V
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IXYS
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ZY250 |
Diskrete Halbleitermodule mit Schlüsseldoppel
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Produktion von |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 900A DUAL
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Infineon Technologies
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DZ435N40K |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diskrete Halbleitermodule 30 Ampere 1200 V
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IXYS
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MDD26-18N1B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCC72-12io1B |
Diskrete Halbleitermodule STANDARD SCR 1200V, 72A
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IXYS
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DD700N22K |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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MWI200-06A8 |
Diskrete Halbleitermodule NPT IGBT 600V, 200A
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IXYS
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DZ540N20K |
Diskrete Halbleitermodule 2000V 1150A
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Infineon Technologies
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MCC72-12io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1200 V
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IXYS
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MCC250-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 1200 V
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IXYS
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V61-14.100NS |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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2SC5086-O,LF |
Übertragung von Funkfrequenzen (NPN)
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Toshiba-Halbleiter
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MT3S113TU,LF |
RF SIGE HETEROJUNKTION BIPOLAR N
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Toshiba-Halbleiter
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ZFBT-4R2G+ |
Kohäxial-Bias-Tee
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mit einer Leistung von mehr als 10 W
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2SC5227A-4-TB-E |
Trans NPN BIPO VHF-UHF CP
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Ein- und zweimal
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BFT92 E6327 |
Trans PNP RF 15V SOT-23
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Infineon Technologies
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MMBTH10LT3G |
Übertragung von VHF/UHF NPN 25V SOT23
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Ein- und zweimal
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BFP780H6327XTSA1 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Infineon Technologies
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BFP193E6327HTSA1 |
NPN RF 12V SOT-143
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Infineon Technologies
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BFP840ESDH6327XTSA1 |
IC-TRANSISTOR RF NPN SOT343-4
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Infineon Technologies
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MCH4015-TL-H |
Übertragung von NPN 12V 100MA
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Ein- und zweimal
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BFP640H6327XTSA1 |
Übertragung von Funkfrequenz NPN 4V 50MA
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Infineon Technologies
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BFP410 H6327 |
Übertragung von Funkfrequenzen NPN 25 GHz 4,5 V SOT343
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
Trans NPN BIPO 70MA 10V MCP
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Ein- und zweimal
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BFP760 H6327 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
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Infineon Technologies
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BFP650H6327XTSA1 |
Übertragung von Funkfrequenzen auf NPN 4V 150MA
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Infineon Technologies
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
Übertragung der Leistung
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Ein- und zweimal
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Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich. |
Trans SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
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Ein- und zweimal
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BFR181WH6327XTSA1 |
Übertragung von NPN 12V 20MA SOT323
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Infineon Technologies
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BFP620H7764XTSA1 |
Übertragung von Funkfrequenzen auf NPN 2,3 V 80MA SOT343
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Infineon Technologies
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BF776 H6327 |
Trans-RF NPN 1,8 GHz 4,0 V SOT343
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Infineon Technologies
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BFP650FH6327XTSA1 |
Trans-RF NPN 42 GHz 4,5 V 4TSFP
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Infineon Technologies
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BFR93AE6327HTSA1 |
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage nicht mehr in Betrieb genommen.
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Infineon Technologies
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BFQ790H6327XTSA1 |
HF-BIP-Transistoren
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Infineon Technologies
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15GN03CA-TB-E |
Trans NPN BIPO 70MA 10V CP
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Ein- und zweimal
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MMBTH81 |
Wird die Anlage für die Verwendung in der Produktion des Produkts verwendet, ist die Anlage zu verwe
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Ein- und zweimal
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