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Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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SP000913772 |
IGBT-Transistoren IGBT PRODUKTE
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Infineon Technologies
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FGL60N100BNTDTU |
IGBT-Transistoren mit hoher Leistung
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Fairchild Halbleiter
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RJH1CM6DPQ-E0#T2 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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IRGS4064DTRLPBF |
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Infineon Technologies
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RJH60A01RDPD-A0#J2 |
IGBT-Transistoren IGBT 600V 5A
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Renesas-Elektronik
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IXGH17N100AU1 |
IGBT-Transistoren 17 Ampere 1000 V
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren GenX3 1200V IGBTs
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IXYS
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RJH60D7ADPK-00#T0 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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IKB10N60TATMA1 |
IGBT-Transistoren mit niedrigem Verlust DuoPack
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Infineon Technologies
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IRG4PH30KPBF |
IGBT-Transistoren 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ
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IR / Infineon
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IRGP4620DPBF |
IGBT-Transistoren 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST
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IR / Infineon
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IRG4PF50WPBF |
IGBT-Transistoren 900 V Warp 20-100 kHz
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Infineon Technologies
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IXGH40N120B2D1 |
IGBT-Transistoren IGBT, Diode 1200V, 75A
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IXYS
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IGW50N65F5FKSA1 |
IGBT-Transistoren IGBT PRODUKTE
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Infineon Technologies
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IGW03N120H2 |
IGBT-Transistoren mit hoher Geschwindigkeit 2 TECH 1200V 3A
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Infineon Technologies
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IKP40N65F5XKSA1 |
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Infineon Technologies
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IRG4BC30FD-SPBF |
IGBT-Transistoren 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT
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IR / Infineon
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IRG4PH40UDPBF |
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Infineon Technologies
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IXGH15N120CD1 |
IGBT-Transistoren 30 Ampere 1200V 3,8 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
IGBT-Transistoren 75 Ampere 1200V 3,3 Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
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Infineon Technologies
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StgW25M120DF3 |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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Die Ausrüstung wird von der Abteilung für die Überwachung der Luftfahrt eingesetzt. |
IGBT Transistoren Trench Gate Feldstop IGBT, M-Serie 650 V, 120 A geringer Verlust
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht. |
IGBT-Transistoren 75 Ampere 1200 V
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IXYS
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IRGP4062-EPBF |
IGBT-Transistoren IR IGBT 600V 600V 24A bis 247AD
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IR / Infineon
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Siehe auch APT35GP120J |
IGBT-Transistoren Isolierte Tür Bipolartransistor - PT Power MOS 7 - Einzel
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Mikrosemi
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. |
IGBT-Transistoren 600V/60A IGBT LPT TO-247
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Ein- und zweimal
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IRG4PC40KDPBF |
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Infineon Technologies
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Die Bezeichnung "SGF30V60DF" ist: |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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Die Ausrüstung ist in der Lage, |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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IKP20N60T |
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Infineon Technologies
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IRG4RC10UDTRLP |
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IR / Infineon
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IRG4PC40SPBF |
IGBT-Transistoren 600V DC-1 KHZ (STD)
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IR / Infineon
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RJH1CF7RDPQ-80#T2 |
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Renesas-Elektronik
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden. |
IGBT-Transistoren 650V/75 FAST IGBT FSII zu
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Ein- und zweimal
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IRGPS66160DPBF |
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Infineon Technologies
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IGW15T120 |
IGBT-Transistoren mit geringem Verlust IGBT-Technik 1200V 15A
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Infineon Technologies
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FGA30T65SHD |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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IXGH48N60A3D1 |
IGBT-Transistoren G-Serie A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren SMART IGBT
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Fairchild Halbleiter
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Ausrüstung für die Verarbeitung von Daten |
IGBT-Transistoren für den Automobilbereich 600 V Ultra TO-220
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IR / Infineon
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Die Angabe der Anwendungsdauer ist in der Angabe der Anwendungsdauer anzugeben, wenn die Anwendungsdauer nicht überschritten ist. |
IGBT-Transistoren 1000V 40A FS TIGBT
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Fairchild Halbleiter
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IRGP4660DPBF |
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IR / Infineon
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SGP30N60HS |
IGBT-Transistoren mit hoher Geschwindigkeit NPT TECH 600V 30A
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren
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STMikroelektronik
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STGW60V60F |
IGBT-Transistoren 600V 60A-Grench Gate 1,8V Vce IGBT
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STMikroelektronik
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APT75GN60BG |
IGBT-Transistoren Isoliertes Tor Bipolartransistor - Feldstop Low Frequence - Einzel
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Mikrosemi
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 15khz-40khz Leistungseinrichtung
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IXYS
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RJH60D3DPE-00#J3 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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