IRG7PH44K10DPBF
fabricant:
IR / Infineon
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 1200 V Ultra-Schnell 4-20 kHz Copack IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
70 A
PD - Verlustleistung::
320 w
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1200 V
Packung / Koffer::
TO-247AC-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 30 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,4 V
Hersteller::
IR / Infineon
Einleitung
Die IRG7PH44K10DPBF, von IR / Infineon, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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