IRG7PH30K10PBF
fabricant:
IR / Infineon
Beschreibung:
IGBT-Transistoren Trink IGBT 1200V 10A Einzel IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
33 A
PD - Verlustleistung::
210 Watt
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1,2 KV
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 30 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,05 V
Hersteller::
IR / Infineon
Einleitung
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