IRGR3B60KD2PBF
fabricant:
IR / Infineon
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
SMD/SMT
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
7.8 A
PD - Verlustleistung::
52 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
DPAK-3
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,4 V
Hersteller::
IR / Infineon
Einleitung
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