IRGP4660DPBF
fabricant:
IR / Infineon
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
70 uA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
50 A
PD - Verlustleistung::
134 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Verpackung::
Schlauch
Höchstspannung des Toremittels::
20 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
1,9 V
Hersteller::
IR / Infineon
Einleitung
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