IRGP4062-EPBF
fabricant:
IR / Infineon
Beschreibung:
IGBT-Transistoren IR IGBT 600V 600V 24A bis 247AD
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
48 A
PD - Verlustleistung::
250 Watt
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Verpackung::
Schlauch
Höchstspannung des Toremittels::
20 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,04 V
Hersteller::
IR / Infineon
Einleitung
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