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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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6MBI180VX-120-80 |
IGBT-Module 6-Pack EconoPACKTM 600V, 1200V, 1700V Klasse
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Fuji elektrisch
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IRG8CH10K10F |
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Module N-CH 600V 55A
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk bestehen. |
IGBT-Module 1700V 225A in drei Phasen
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Infineon Technologies
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SKM200GB173D |
SEMITRANS IGBT-Module neue Palette
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SEMIKRON
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2MBI1400XXB120P-50 |
IGBT-Module der Klasse PrimePACKTM 1200V
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Fuji elektrisch
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SK30MLI066 |
3-Ebenen-NPC-Wechselrichter
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SEMIKRON
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Regelung zu erfüllen. |
Modul IGBT IHMB130-1
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Infineon Technologies
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1MBI2400VS-170E |
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Fuji elektrisch
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FP100R06KE3 |
IGBT-Module N-CH 600V 100A
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgerüstet sind. |
1200 V, 50 A PIM IGBT-Module
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Infineon Technologies
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6MBP75VDA060-50 |
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Fuji elektrisch
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Die Bezeichnung der Beförderungsstelle ist der Beförderungsstelle. |
IGBT-Module
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SEMIKRON
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2MBI300VN-170-50 |
IGBT-Module 2-Pack 1700V Klasse
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Fuji elektrisch
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2MBI450VX-120-50 |
IGBT-Module mit 2-Pack 1200V Klasse
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Fuji elektrisch
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F475R07W2H3B51BPSA1 |
Modell Diodenbrücke EASY2B-2-1
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Infineon Technologies
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7MBR10SC120 |
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Fuji elektrisch
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu berücksichtigen, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 enthalten sind. |
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Infineon Technologies
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6PS04512E43W39693 |
IGBT-Module
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Infineon Technologies
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Der Verband ist nicht mehr in der Lage. |
IGBT-Module
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SEMIKRON
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IRG7PK42UD1PBF |
IGBT 1200V STERBEN
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Infineon Technologies
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FGW25N120WD |
Diskrete IGBT 1200V-Klasse
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Fuji elektrisch
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IRGS4607DTRRPBF |
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
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Infineon Technologies
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FS20R06VE3 |
IGBT-Module IGBT-Module
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. |
IGBT-Module
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Infineon Technologies
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BC817-16LT1G |
Bipolare Transistoren - BJT 500mA 50V NPN
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Ein- und zweimal
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ZXTN25020DGTA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 20V HIGH GAIN
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Dioden eingebunden
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DPLS160V-7 |
Bipolare Transistoren - BJT PNP.3W
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Dioden eingebunden
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MJE15034G |
Bipolare Transistoren - BJT 4A 350V 50W NPN
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Ein- und zweimal
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2DC4617S-7-F |
Bipolare Transistoren - BJT NPN BIPOLAR
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Dioden eingebunden
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Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 übermittelt. |
Bipolare Transistoren - BJT 100mA 30V NPN
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Ein- und zweimal
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FCX690BTA |
Bipolare Transistoren - BJT NPN hoher Gewinn
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Dioden eingebunden
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen der Richtlinie zu erfüllen. |
Bipolare Transistoren - BJT doppelt abgestimmt PNP XSTR 45V
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Ein- und zweimal
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Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. |
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Ein- und zweimal
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BCP54,115 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
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Nexperia
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Die Daten werden von den zuständigen Behörden des Mitgliedstaats übermittelt. |
Bipolare Transistoren - BJT 1A 50V NPN
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Ein- und zweimal
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2SD1766T100R |
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ROHM Halbleiter
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2DD1664P-13 |
Bipolare Transistoren - BJT 1000W 32Vceo
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Dioden eingebunden
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2SC3837KT146P |
Bipolare Transistoren - BJT NPN 20V 50MA
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ROHM Halbleiter
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PBHV8540Z,115 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
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Nexperia
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MJD42CG |
Bipolare Transistoren - BJT 6A 100V 20W PNP
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Ein- und zweimal
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Die Angabe des Zustands des Zustandes ist nicht erforderlich. |
Bipolare Transistoren - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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Ein- und zweimal
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2SD2098T100S |
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ROHM Halbleiter
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PBHV9040T,215 |
Bipolare Transistoren - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
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Nexperia
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2SA1774G |
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Ein- und zweimal
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PBSS4032SP,115 |
Bipolare Transistoren - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0,73W 115MHz
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Nexperia
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MCH5541-TL-E |
Bipolare Transistoren - BJT BIP PNP+NPN 0,7A 30V
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Ein- und zweimal
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BDP950H6327XTSA1 |
Bipolare Transistoren - BJT AF Transistoren
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Infineon Technologies
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2SD2696T2L |
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ROHM Halbleiter
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DXT5551-13 |
Bipolare Transistoren - BJT 1W 160V
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Dioden eingebunden
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