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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualifiziert
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Vishay Halbleiter
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DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
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Dioden eingebunden
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Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen. |
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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IPB160N04S4LH1ATMA1 |
MOSFET N-CH TO263-7
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Infineon Technologies
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SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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Vishay Halbleiter
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IXTP10N60P |
MOSFET 10,0 Ampere 600 V 0,74 Ohm Rds
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET 30V 14,8A 5,2W 13,5Mohm @ 10V
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Siliconix / Vishay
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IRFR24N15DTRPBF |
MOSFET MOSFT 150V 24A 95mOhm 30nC
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Infineon Technologies
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DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-Kanal 11A 8SO
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Dioden eingebunden
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TPHR6503PL,L1Q |
MOSFET 30 Volt N-Kanal
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Toshiba
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NTMFD4C20NT3G |
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
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Ein- und zweimal
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NVMFD5C462NT1G |
40V 5,4 MOHM T8 S08FL DUA
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Ein- und zweimal
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IPA65R420CFDXKSA1 |
MOSFET N-CH 650V 8,7A TO220
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Infineon Technologies
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CPC3909ZTR |
MOSFET 400V N-Kanal-Auslaufen-Modus FET
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IXYS integrierte Schaltungen
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
MOSFET Q3Klasse HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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IXYS
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IRLR8721TRPBF |
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
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Infineon Technologies
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FDPC4044 |
MOSFET 2N-CH 8MLP
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Ein- und zweimal
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BSD235NH6327XTSA1 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
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Infineon Technologies
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IRFSL4010PBF |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4,7mOhm 143nC
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Infineon Technologies
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DMN2400UFDQ-7 |
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Tor 1,0V
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Dioden eingebunden
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IRFR13N15DTRL |
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
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Infineon Technologies
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IPB80N06S205ATMA1 |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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Infineon Technologies
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BSP135 E6327 |
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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Infineon Technologies
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IPA65R125C7XKSA1 |
MOSFET HIGH POWER BEST in der Klasse
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Infineon Technologies
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IRF3808STRLPBF |
MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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Infineon Technologies
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IRG4BC40KPBF |
IGBT 600V 42A 160W TO220AB
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Infineon Technologies
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IKD03N60RFAATMA1 |
IGBT 600V 5A 53,6W TO252-3
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet. |
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Infineon Technologies
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IRGS4064DTRLPBF |
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
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Infineon Technologies
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2MBI300P-140 |
1400V/300A 2-Pack IGBT
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Fuji elektrisch
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FZ900R12KP4 |
IGBT-Module IGBT 1200V 900A
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Infineon Technologies
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IRGC4630B |
IGBT-CHIP-Wafer
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. |
IGBT-Module IGBT-Module 450A 1700V
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Infineon Technologies
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Die Anzeige ist abgegeben. |
IGBT-Module
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SEMIKRON
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6PS18012E4FG35689NWSA1 |
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Infineon Technologies
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IRG4RC10SDTRPBF |
IGBT 600V 14A 38W DPAK
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Infineon Technologies
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IGP40N65F5XKSA1 |
IGBT 650V 74A 255W PG-TO220-3
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Infineon Technologies
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IRG4PC40KDPBF |
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
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Infineon Technologies
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IRG7PH28UD1PBF |
IGBT 1200V 30A 115W TO247AC
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Infineon Technologies
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IRGC4059B |
IGBT-CHIP-Wafer
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Infineon Technologies
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DD160HB160 |
Diodenmodul
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Sansha Elektro
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IRGS4615DPBF |
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. |
IGBT-Module 1200V 225A in drei Phasen
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Infineon Technologies
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IRGS6B60KTRLPBF |
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
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Infineon Technologies
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7MBR15SA120 |
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Fuji elektrisch
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SK80TMLI12F4TP |
IGBT-Module
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SEMIKRON
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FF150R12KS4HOSA1 |
IGBT-Module VCES 1200V 150A
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Infineon Technologies
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7MBR20XKA065-50 |
IGBT-Module der 650V-X-Serie
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Fuji elektrisch
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FF200R06KE3 |
IGBT-Module N-CH 600V 260A
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anstrengungen zu unternehmen. |
IGBT-Module IGBT-Module 150A 650V
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Infineon Technologies
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