Filter
Filter
Getrennte Halbleiter
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDTA143TU,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTA123EET1G |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
DTC023YEBTL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PUMH9,135 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS Doppel-RET
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
RN1301, LF |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter USM-Transistor Pd 100mW F 250Mhz
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes SS-BR XSTR PNP 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
FMA7AT148 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA SMT5
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DMG964020R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1,6x1,6mm
|
Panasonics
|
|
|
|
|
|
SDTC114YET1G |
Bipolare Transistoren - vorgeprägte SS SC75 BR XSTR NPN 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
RN4982FSTPL3 |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 50mA 20V 6Pin 10K x 10Kohms
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50V BRT Dual NPN
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von |
Bipolare Transistoren - NPN DIGITAL TRANSISTOR mit vorgebildeter Verzerrung
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
DTB123TKT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGIT PNP 40V 500MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTA143XKAT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGIT PNP 50V 100MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PUMD3125 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Trans-Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PDTA143EMB,315 |
Bipolare Transistoren - Transistor mit vorgebildetem PNP-Widerstand
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
RN2405T5LFT |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP 50V 0.1A
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in der Form eines Zylinders. |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
PEMD9,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR SPCL TR
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
PDTA143ZQAZ |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Die Angabe des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SC88A DUAL BRT TR
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die Ausrüstung ist in der Form eines Zylinders. |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP-DIGITALTRANSISTOR
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
PBLS6023D,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter 60V/1.3A-Ladenschalter in SOT457
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DMA561040R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
|
Panasonics
|
|
|
|
|
|
DTC143ZUAT106 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN 50V 100MA SOT-323
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTA143XETL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP 50V 100MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PDTD143ETR |
Bipolare Transistoren - mit vorgebildetem 500 mA, 50 V NPN-Widerstand ausgestattet
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
NSVMMUN2112LT1G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
DTA144EM3T5G |
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
UMA10NTR |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
EMH10T2R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 100MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR SPCL TR
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
PUMB15.115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS BR XSTR DUAL 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
FMA3AT148 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PDTD143EUX |
Bipolare Transistoren - mit vorgebildetem 500 mA, 50 V NPN-Widerstand ausgestattet
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
NSBA114TF3T5G |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SOT-1123 PBRT-Transistor
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die Ausnahme gilt für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 genannten Erzeugnisse. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
BCR 142W H6327 |
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
RN2111MFV,L3F |
Bipolare Transistoren - Vorgebildeter Bias-Widerstand eingebauter Transistor
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Umh6NTR |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 30MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTC123JM3T5G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
RN1901 ((T5L,F,T) |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Gen Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
PDTB114EQAZ |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTA023YUBTL |
Bipolare Transistoren - Digitaltransistoren mit eingebauten Widerständen
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
DTC114YKAT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGITL NPN 50V 70MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTA014JEBTL |
Bipolare Transistoren - Digitaltransistoren mit eingebauten Widerständen
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
RN1311 ((TE85L,F) |
|
Toshiba
|
|
|