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Getrennte Halbleiter

BildTeil #BeschreibungfabricantLagerbestandZulassung
DTC114EEBTL

DTC114EEBTL

Bipolartransistoren – vorgespannter TRANSISTOR
ROHM Halbleiter
UMG9NTR

UMG9NTR

Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
ROHM Halbleiter
PDTA114YUF

PDTA114YUF

Bipolare Transistoren - Vorverzerrte PDTA114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
Nexperia
DTC044EMT2L

DTC044EMT2L

Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
ROHM Halbleiter
DTC043TUBTL

DTC043TUBTL

Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
ROHM Halbleiter
PUMH18.115

PUMH18.115

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
Die Bezeichnung "MMUN2133LT1G"

Die Bezeichnung "MMUN2133LT1G"

Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
Ein- und zweimal
EMD29T2R

EMD29T2R

Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
ROHM Halbleiter
PDTA144VM,315

PDTA144VM,315

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
Nexperia
DTC144WETL

DTC144WETL

Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN 50V 30MA
ROHM Halbleiter
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse.

Bipolare Transistoren - vorgebildeter BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
Toshiba
Die Anweisungen für die Einführung von Verfahren sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden.

Die Anweisungen für die Einführung von Verfahren sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden.

Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Ein- und zweimal
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
Ein- und zweimal
RN2906, LF

RN2906, LF

Bipolare Transistoren - vorgebildet US6-PLN
Toshiba
DRA5115E0L

DRA5115E0L

Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
Panasonics
PUMB11,115

PUMB11,115

Nexperia
DTA114EET1G

DTA114EET1G

Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
Ein- und zweimal
NSBC114EPDP6T5G

NSBC114EPDP6T5G

Ein- und zweimal
NSVMMUN2232LT1G

NSVMMUN2232LT1G

Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
Ein- und zweimal
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert,

Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
Ein- und zweimal
PDTC143XM,315

PDTC143XM,315

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
Nexperia
DMG563H10R

DMG563H10R

Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
Panasonics
PUMH1.115

PUMH1.115

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
RN1316, LF

RN1316, LF

Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50Volt 3Pin 4,7K x 10Kohms
Toshiba
PEMH4.115

PEMH4.115

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
Immer noch keine Daten

Immer noch keine Daten

Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP/NPN 50V 100MA
ROHM Halbleiter
DRC2523Y0L

DRC2523Y0L

Panasonics
Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen

Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen

Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
Ein- und zweimal
RN2116MFV ((TL3,T)

RN2116MFV ((TL3,T)

Bipolare Transistoren - Vorverzerrter Bias-Widerstand PNP 4,7 Kohm -100mA -50V
Toshiba
EMG2T2R

EMG2T2R

Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 30MA
ROHM Halbleiter
PBLS1503Y,115

PBLS1503Y,115

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS LDSWITCH TAPE-7
Nexperia
DMA561090R

DMA561090R

Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
Panasonics
Wir sind nicht mehr in der Lage, das Problem zu lösen.

Wir sind nicht mehr in der Lage, das Problem zu lösen.

Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA Komplementär 50V Dual NPN & PNP
Ein- und zweimal
RN2502 ((TE85L,F)

RN2502 ((TE85L,F)

Bipolare Transistoren - vorgebildeter Trans Gen PNP x 2 SMV, -50V, -100A
Toshiba
DTA143ZUAT106

DTA143ZUAT106

ROHM Halbleiter
NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

Bipolare Transistoren - Vorverzerrter SS SOT563 RSTR XSTR TR
Ein- und zweimal
PBRN123ET,215

PBRN123ET,215

Bipolare Transistoren - vorgebildetes BISS RETS TAPE-7
Nexperia
BCR 169 E6327

BCR 169 E6327

Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP-Silizium-Digitaltransistor
Infineon Technologies
PDTC123YM,315

PDTC123YM,315

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
Nexperia
DRC2124E0L

DRC2124E0L

Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
Panasonics
RN2904FE,LF(CT

RN2904FE,LF(CT

Bipolare Transistoren - Vorgebildeter Bias-Widerstand eingebauter Transistor
Toshiba
DRA9144E0L

DRA9144E0L

Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
Panasonics
Umgehung der Zölle

Umgehung der Zölle

Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
ROHM Halbleiter
PDTC143TE,115

PDTC143TE,115

Bipolare Transistoren - vorgebildetes NPN W/RES 50V
Nexperia
PDTC143EM,315

PDTC143EM,315

Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
Nexperia
Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen

Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen

Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
Ein- und zweimal
FJV3105RMTF

FJV3105RMTF

Fairchild Halbleiter
Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von

Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von

Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA Komplementär 50V NPN & PNP
Ein- und zweimal
RN1132MFV ((TL3,T)

RN1132MFV ((TL3,T)

Bipolare Transistoren - vorgebildeter Bias-Widerstand NPN 100mA 50V 200ohm
Toshiba
DRC9115G0L

DRC9115G0L

Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
Panasonics
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