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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Immer noch keine Daten |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP/NPN 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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DRC2523Y0L |
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Panasonics
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Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Ein- und zweimal
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RN2116MFV ((TL3,T) |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrter Bias-Widerstand PNP 4,7 Kohm -100mA -50V
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Toshiba
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EMG2T2R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 30MA
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ROHM Halbleiter
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PBLS1503Y,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS LDSWITCH TAPE-7
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Nexperia
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DMA561090R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonics
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Wir sind nicht mehr in der Lage, das Problem zu lösen. |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA Komplementär 50V Dual NPN & PNP
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Ein- und zweimal
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RN2502 ((TE85L,F) |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Trans Gen PNP x 2 SMV, -50V, -100A
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Toshiba
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DTA143ZUAT106 |
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ROHM Halbleiter
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NSBC113EPDXV6T1G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrter SS SOT563 RSTR XSTR TR
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Ein- und zweimal
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PBRN123ET,215 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes BISS RETS TAPE-7
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Nexperia
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BCR 169 E6327 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP-Silizium-Digitaltransistor
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Infineon Technologies
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PDTC123YM,315 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
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Nexperia
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DRC2124E0L |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
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Panasonics
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RN2904FE,LF(CT |
Bipolare Transistoren - Vorgebildeter Bias-Widerstand eingebauter Transistor
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Toshiba
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DRA9144E0L |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
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Panasonics
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Umgehung der Zölle |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 100MA SOT-363
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ROHM Halbleiter
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PDTC143TE,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes NPN W/RES 50V
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Nexperia
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PDTC143EM,315 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
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Nexperia
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Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Ein- und zweimal
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FJV3105RMTF |
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Fairchild Halbleiter
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Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA Komplementär 50V NPN & PNP
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Ein- und zweimal
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RN1132MFV ((TL3,T) |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Bias-Widerstand NPN 100mA 50V 200ohm
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Toshiba
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DRC9115G0L |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
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Panasonics
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PDTA143TU,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
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Nexperia
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DTA123EET1G |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Ein- und zweimal
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DTC023YEBTL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
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ROHM Halbleiter
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PUMH9,135 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS Doppel-RET
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Nexperia
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RN1301, LF |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter USM-Transistor Pd 100mW F 250Mhz
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Toshiba
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes SS-BR XSTR PNP 50V
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Ein- und zweimal
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FMA7AT148 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA SMT5
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ROHM Halbleiter
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DMG964020R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1,6x1,6mm
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Panasonics
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SDTC114YET1G |
Bipolare Transistoren - vorgeprägte SS SC75 BR XSTR NPN 50V
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Ein- und zweimal
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RN4982FSTPL3 |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 50mA 20V 6Pin 10K x 10Kohms
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Toshiba
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Für die Berechnung der Zulassungsdauer |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50V BRT Dual NPN
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Ein- und zweimal
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Die Ausrüstung ist mit einer Breite von |
Bipolare Transistoren - NPN DIGITAL TRANSISTOR mit vorgebildeter Verzerrung
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Ein- und zweimal
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DTB123TKT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGIT PNP 40V 500MA
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ROHM Halbleiter
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DTA143XKAT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGIT PNP 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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PUMD3125 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Trans-Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
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Nexperia
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PDTA143EMB,315 |
Bipolare Transistoren - Transistor mit vorgebildetem PNP-Widerstand
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Nexperia
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RN2405T5LFT |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP 50V 0.1A
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Toshiba
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Die Ausrüstung ist in der Form eines Zylinders. |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Ein- und zweimal
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PEMD9,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
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Nexperia
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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR SPCL TR
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Ein- und zweimal
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PDTA143ZQAZ |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
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Nexperia
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Die Angabe des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SC88A DUAL BRT TR
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Ein- und zweimal
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Die Ausrüstung ist in der Form eines Zylinders. |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP-DIGITALTRANSISTOR
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Ein- und zweimal
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PBLS6023D,115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter 60V/1.3A-Ladenschalter in SOT457
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Nexperia
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DMA561040R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
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Panasonics
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