Filter
Filter
Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
GT30J121 ((Q) |
IGBT-Transistoren 600V/30A DIS
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
IKW50N60H3FKSA1 |
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STGF3NC120HD |
IGBT-Transistoren N-Ch 1200 Volt 3 Ampere
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
FGH40T120SMDL4 |
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 1200V/25 FAST IGBT NUR F
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 150 Ampere 600 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
STGWA40M120DF3 |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
|
STMikroelektronik
|
|
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
IGBT-Transistoren 600V N-Kanal IGBT SMPS-Serie
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht. |
IGBT-Transistoren mit hoher Geschwindigkeit NPT TECH 600V 20A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
NGTB40N120S3WG |
IGBT-Transistoren IGBT 1200V 40A FS3 niedrige Frequenz
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
IHW30N110R3FKSA1 |
IGBT-Transistoren IGBT PRODUKTE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IGW100N60H3 |
IGBT-Transistoren IGBT-Produkte
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
FGA15N120ANTDTU |
IGBT-Transistoren 1200 V NPT-Graben
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
IKP08N65H5 |
IGBT-Transistoren Technische Proben
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IXYN100N120B3H1 |
IGBT-Transistoren
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung von Fahrzeugen, die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführt sind. |
IGBT-Transistoren 400 Ampere 300 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXBF40N160 |
IGBT-Transistoren 40 Ampere 1600 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRG7PH30K10PBF |
IGBT-Transistoren Trink IGBT 1200V 10A Einzel IGBT
|
IR / Infineon
|
|
|
|
|
|
APT70GR65B |
IGBT-Transistoren Isolierter Gate Bipolartransistor - Leistung MOS 8
|
Mikrosemi
|
|
|
|
|
|
IKP30N65H5 |
IGBT Transistoren IGBT-Produkte TrenchStop 5
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IRGR3B60KD2PBF |
|
IR / Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG7PH44K10DPBF |
IGBT-Transistoren 1200 V Ultra-Schnell 4-20 kHz Copack IGBT
|
IR / Infineon
|
|
|
|
|
|
IKW50N65F5AXKSA1 |
IGBT-Transistoren IGBT PRODUKTE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
IGBT-Transistoren 600 V
|
Fairchild Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTC114EEBTL |
Bipolartransistoren – vorgespannter TRANSISTOR
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
UMG9NTR |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PDTA114YUF |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte PDTA114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTC044EMT2L |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
DTC043TUBTL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Widerständen
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PUMH18.115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Die Bezeichnung "MMUN2133LT1G" |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
EMD29T2R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
PDTA144VM,315 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTC144WETL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN 50V 30MA
|
ROHM Halbleiter
|
|
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
Die Anweisungen für die Einführung von Verfahren sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu finden. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SOT563 SRF MT RST XSTR
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
RN2906, LF |
Bipolare Transistoren - vorgebildet US6-PLN
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
DRA5115E0L |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
|
Panasonics
|
|
|
|
|
|
PUMB11,115 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DTA114EET1G |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
NSBC114EPDP6T5G |
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
NSVMMUN2232LT1G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
|
Ein- und zweimal
|
|
|
|
|
|
PDTC143XM,315 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRANS RET TAPE-7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
DMG563H10R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 mm
|
Panasonics
|
|
|
|
|
|
PUMH1.115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
RN1316, LF |
Bipolare Transistoren - vorgebildet 100mA 50Volt 3Pin 4,7K x 10Kohms
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
PEMH4.115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|