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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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Siehe auch APT35GP120J |
IGBT-Transistoren Isolierte Tür Bipolartransistor - PT Power MOS 7 - Einzel
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Mikrosemi
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. |
IGBT-Transistoren 600V/60A IGBT LPT TO-247
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Ein- und zweimal
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IRG4PC40KDPBF |
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Infineon Technologies
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Die Bezeichnung "SGF30V60DF" ist: |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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Die Ausrüstung ist in der Lage, |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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IKP20N60T |
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Infineon Technologies
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IRG4RC10UDTRLP |
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IR / Infineon
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IRG4PC40SPBF |
IGBT-Transistoren 600V DC-1 KHZ (STD)
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IR / Infineon
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RJH1CF7RDPQ-80#T2 |
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Renesas-Elektronik
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Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden. |
IGBT-Transistoren 650V/75 FAST IGBT FSII zu
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Ein- und zweimal
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IRGPS66160DPBF |
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Infineon Technologies
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IGW15T120 |
IGBT-Transistoren mit geringem Verlust IGBT-Technik 1200V 15A
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Infineon Technologies
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FGA30T65SHD |
IGBT-Transistoren 650V FS Gen3 Schacht IGBT
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Fairchild Halbleiter
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IXGH48N60A3D1 |
IGBT-Transistoren G-Serie A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
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IXYS
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren SMART IGBT
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Fairchild Halbleiter
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Ausrüstung für die Verarbeitung von Daten |
IGBT-Transistoren für den Automobilbereich 600 V Ultra TO-220
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IR / Infineon
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Die Angabe der Anwendungsdauer ist in der Angabe der Anwendungsdauer anzugeben, wenn die Anwendungsdauer nicht überschritten ist. |
IGBT-Transistoren 1000V 40A FS TIGBT
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Fairchild Halbleiter
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IRGP4660DPBF |
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IR / Infineon
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SGP30N60HS |
IGBT-Transistoren mit hoher Geschwindigkeit NPT TECH 600V 30A
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
IGBT-Transistoren
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STMikroelektronik
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STGW60V60F |
IGBT-Transistoren 600V 60A-Grench Gate 1,8V Vce IGBT
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STMikroelektronik
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APT75GN60BG |
IGBT-Transistoren Isoliertes Tor Bipolartransistor - Feldstop Low Frequence - Einzel
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Mikrosemi
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 15khz-40khz Leistungseinrichtung
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IXYS
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RJH60D3DPE-00#J3 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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IRG4BC30WPBF |
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Infineon Technologies
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IGW40N65F5FKSA1 |
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Infineon Technologies
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IKP15N65H5XKSA1 |
IGBT-Transistoren IGBT PRODUKTE
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Infineon Technologies
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IXGA15N120B |
IGBT-Transistoren 30 Ampere 1200V 3,2 Rds
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IXYS
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FGH75N60UFTU |
IGBT-Transistoren N-CH / 600V 75A FS eben
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Fairchild Halbleiter
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FGB3040CS |
IGBT-Transistoren IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
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Fairchild Halbleiter
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IXBX50N360HV |
IGBT-Transistoren 3600V/125A Umleitung IGBT
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IXYS
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STGW30H60DLFB |
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
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STMikroelektronik
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Die Ausrüstung wird von der Abteilung "Fertigung" erzeugt. |
IGBT-Transistoren Isolierter Bipolartransistor - PT Power MOS 8 - Kombi
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Mikrosemi
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IRGS4B60KD1PBF |
IGBT-Transistoren 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
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Infineon Technologies
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RJH60F5DPQ-A0#T0 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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Sie werden von der Kommission angefordert. |
IGBT-Transistoren Isoliertes Tor Bipolartransistor - Feldstop Low Frequence - Kombination
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Mikrosemi
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IKW08T120 |
IGBT-Transistoren mit niedrigem Verlust
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Infineon Technologies
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IRGP4740DPBF |
IGBT-Transistoren 650 V Ultra-Schnelle IGBT TO-247
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IR / Infineon
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Einheit für die Überwachung der Luftfahrt |
IGBT-Transistoren mit niedrigem Verlust DuoPack 600V 20A
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Infineon Technologies
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APT65GP60L2DQ2G |
IGBT-Transistoren Isolierter Bipolartransistor - PT Power MOS 7 - Kombi
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Mikrosemi
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT-Transistoren 600V/30A IGBT LPT TO-247
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Ein- und zweimal
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Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustand, der sich in der Luft befindet, der sich in der Luft befindet. |
IGBT-Transistoren 650 V IGBT-Trenchstop 5
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Infineon Technologies
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IXGK35N120BD1 |
IGBT-Transistoren 70 Ampere 1200 V 3,3 V Rds
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IXYS
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. |
IGBT-Transistoren FSII 25A 1200V Schweißen
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Ein- und zweimal
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IGW60T120 |
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Infineon Technologies
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Die Bezeichnung "Bundesbeamten" ist die Bezeichnung, mit der die Beamten der Union beauftragt sind, ihre Aufgaben zu erfüllen. |
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STMikroelektronik
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IRG4PF50WDPBF |
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Infineon Technologies
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APT35GA90B |
IGBT-Transistoren Isolierter Bipolartransistor - PT Power MOS 8 - Einzel
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Mikrosemi
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RJH1CF4RDPQ-80#T2 |
IGBT-Transistoren
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Renesas-Elektronik
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