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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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STD20NF20 |
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
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STMikroelektronik
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STD65N55LF3 |
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
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STMikroelektronik
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IRF6711STR1PBF |
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
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Infineon Technologies
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2SK1671 |
Silicon-N-Kanal-MOS-FET
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Renesas-Elektronik
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IRF7464TRPBF |
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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FDMS3616S |
MOSFET 25V Asymmetrische 2xNCh MOSFET PowerTrench
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Fairchild Halbleiter
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SI5513CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A/3.7A N/P-CH Ergänzendes MOSFET
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Siliconix / Vishay
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STD80N6F6 |
MOSFET N-CH 60V 80A StripFET VI DeepGATE
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STMikroelektronik
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Die Ausrüstung ist in Form von |
N-Kanal 800 V, 1,50 OHM TYP.
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STMikroelektronik
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STP14NK60ZFP |
MOSFET N-Ch, 600V-0,45 Ohm 13,5A
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STMikroelektronik
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TK14E65W,S1X |
MOSFET MOSFET NC-Kanal 0,22ohm DTMOS
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Toshiba
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Siehe Anhang I Abschnitt 2 der Richtlinie 2008/57/EG. |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
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Vishay Halbleiter
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IRL3103STRL |
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
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Infineon Technologies
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FCA47N60 |
MOSFET 650V SUPER FET
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Fairchild Halbleiter
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Die Bezeichnung "R" ist die Bezeichnung für die Luftfahrtfahrzeuge. |
MOSFET 25V Einzel-N-Ch HEXFET PWR 50A
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Infineon Technologies
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FDG6302P |
MOSFET 2P-CH 25V 0,14A SC70-6
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Ein- und zweimal
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DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh-Modus 20Vgs 53.1nC 2569pF
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Dioden eingebunden
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IPP034NE7N3GXKSA1 |
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
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Infineon Technologies
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CSD16406Q3 |
MOSFET N-Ch NexFET Leistungs-MOSFET
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Instrumente aus Texas
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IPB80N03S4L-03 |
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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IPA60R125P6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
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Infineon Technologies
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IPA60R080P7XKSA1 |
MOSFET N-CHANNEL 600V 37A bis 220
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Infineon Technologies
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BSS126L6327HTSA1 |
MOSFET N-CH 600V 0,021A SOT-23
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Infineon Technologies
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FDMS7658AS |
MOSFET N-CH 30V POWER56
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Ein- und zweimal
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2N7002,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
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Nexperia
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BSZ075N08NS5ATMA1 |
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. |
MOSFET-Grenz T2-Leistungs-MOSFET
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IXYS
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IXFR30N50Q |
MOSFET 30 Ampere 500V 0,16 Rds
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IXYS
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IPP65R190C6XKSA1 |
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
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Infineon Technologies
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IRF5800TRPBF |
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
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Infineon Technologies
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FDZ193P |
MOSFET MFET-20V P-CH 1,7V PowerTrench WL-CSP
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Fairchild Halbleiter
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IPW60R099P6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V TO247-3
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Infineon Technologies
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FDS6910 |
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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Ein- und zweimal
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IPP60R330P6XKSA1 |
MOSFET Low Power_LegACY
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Infineon Technologies
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PMPB43XPE,115 |
MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
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Nexperia
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IRF6646TR1 |
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
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Infineon Technologies
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CSD17318Q2T |
MOSFET N-Kanal 30V 25A 6WSON
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Instrumente aus Texas
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IPD60R2K1CEAUMA1 |
MOSFET-VERBRAUCHER
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Infineon Technologies
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STP46NF30 |
MOSFET N CH 300V 42A bis 220
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STMikroelektronik
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FDN338P |
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
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Ein- und zweimal
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SIS 472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volt 20 Ampere 28 Watt
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Vishay Halbleiter
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BSS138W |
MOSFET 50V N-CH-Logikniveau
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Fairchild Halbleiter
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NTMD2C02R2G |
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
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Ein- und zweimal
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. |
MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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STMikroelektronik
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FDS4685 |
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
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Ein- und zweimal
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IPD127N06LGBTMA1 |
MOSFET N-CH 60V 50A bis 252
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Infineon Technologies
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DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Schaltdiode 1,8 Ohm bei 5Vgs 470mA
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Dioden eingebunden
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DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
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Dioden eingebunden
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NTMFS4823NT1G |
MOSFET NFET SO8FL 30 V
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Ein- und zweimal
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IRFR1205 |
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
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Infineon Technologies
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