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Transistoren
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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DTC143ZUAT106 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter NPN 50V 100MA SOT-323
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ROHM Halbleiter
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DTA143XETL |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter PNP 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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PDTD143ETR |
Bipolare Transistoren - mit vorgebildetem 500 mA, 50 V NPN-Widerstand ausgestattet
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Nexperia
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NSVMMUN2112LT1G |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
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Ein- und zweimal
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DTA144EM3T5G |
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Ein- und zweimal
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UMA10NTR |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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EMH10T2R |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR SPCL TR
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Ein- und zweimal
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PUMB15.115 |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes TRNS DOUBLE RET TAPE7
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Nexperia
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SS BR XSTR DUAL 50V
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Ein- und zweimal
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FMA3AT148 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL PNP 50V 100MA
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ROHM Halbleiter
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PDTD143EUX |
Bipolare Transistoren - mit vorgebildetem 500 mA, 50 V NPN-Widerstand ausgestattet
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Nexperia
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NSBA114TF3T5G |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter SOT-1123 PBRT-Transistor
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Ein- und zweimal
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Die Ausnahme gilt für die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 genannten Erzeugnisse. |
Bipolare Transistoren - vorverzerrt 100mA 50V BRT PNP
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Ein- und zweimal
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BCR 142W H6327 |
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Infineon Technologies
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RN2111MFV,L3F |
Bipolare Transistoren - Vorgebildeter Bias-Widerstand eingebauter Transistor
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Toshiba
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Umh6NTR |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DUAL NPN 50V 30MA
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ROHM Halbleiter
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DTC123JM3T5G |
Bipolar Transistor - Vor-voreingenommenes 100mA 50V HELLES NPN
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Ein- und zweimal
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RN1901 ((T5L,F,T) |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Gen Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
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Toshiba
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PDTB114EQAZ |
Bipolare Transistoren - vorgebildetes PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
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Nexperia
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DTA023YUBTL |
Bipolare Transistoren - Digitaltransistoren mit eingebauten Widerständen
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ROHM Halbleiter
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Bipolare Transistoren - Vorverzerrte SS BR XSTR NPN 50V
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Ein- und zweimal
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DTC114YKAT146 |
Bipolare Transistoren - vorgebildeter DIGITL NPN 50V 70MA
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ROHM Halbleiter
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DTA014JEBTL |
Bipolare Transistoren - Digitaltransistoren mit eingebauten Widerständen
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ROHM Halbleiter
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RN1311 ((TE85L,F) |
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Toshiba
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IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in Form von |
MOSFET N-CH 600V 35A bis 247
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STMikroelektronik
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IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Schottky-Sperrschichtdiode
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Fuji elektrisch
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IPP60R280E6XKSA1 |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
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Infineon Technologies
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IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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IR / Infineon
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht. |
MOSFET N-CH 600V 8A bis 220FP
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STMikroelektronik
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IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
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Infineon Technologies
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IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
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Infineon Technologies
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AUIRF2804WL |
MOSFET 40V 295A 1,8mOhm Automobil MOSFET
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IR / Infineon
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IRF7815PBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
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Infineon Technologies
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SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9,3Mohm @ 10V
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Vishay Halbleiter
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BS170_D26Z |
MOSFET-N-Ch-Verstärkungsmodus Feldwirkung
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Fairchild Halbleiter
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ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
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Dioden eingebunden
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IRFR6215TR |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
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Infineon Technologies
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IPP90R800C3 |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3
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Infineon Technologies
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BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23
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Dioden eingebunden
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FDP5N60NZ |
MOSFET 600V N-Kanal MOSFET, UniFET-II
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Fairchild Halbleiter
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Die in Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe b genannten Risikopositionen werden nicht berücksichtigt. |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
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Instrumente aus Texas
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PMV32UP,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
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Nexperia
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IPP80N03S4L03AKSA1 |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
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STMikroelektronik
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DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Niedrige Rdson
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Dioden eingebunden
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STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
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STMikroelektronik
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NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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Ein- und zweimal
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